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MOSFETs verstehen: Symbol, Anwendungen und Vergleiche

September 25 2023
Ampheo

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Willkommen zu unserer ausführlichen Analyse von MOSFETs, in der wir ihre Terminologie, Verwendung und Ähnlichkeiten mit anderen Transistorarten besprechen. Dieser Blog gibt Ihnen nützliche Einblicke in die Welt der MOSFETs, egal ob Sie ein Elektronikfreak, ein Airsoft-Fan oder einfach nur neugierig auf Halbleiterbauelemente sind. Wir gehen alles durch, von den Grundlagen der MOSFET-Symbole und Pinbelegungen bis hin zu ihrer Verwendung in Airsoft-Waffen und -Verstärkern. Wir vergleichen MOSFETs auch mit anderen gängigen Transistortypen wie BJTs, IGBTs und JFETs und besprechen Themen wie diodenverbundene MOSFETs, FinFETs und effektive MOSFET-Tests. Also, legen wir los!

Was ist ein MOSFET-Airsoft?

MOSFETs (Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren) sind eine der bedeutendsten Transistorkategorien. Ein MOSFET hat vier Anschlüsse: Source (S), Gate (G), Drain (D) und Body (B). Der Source-Anschluss eines Feldeffekttransistors ist normalerweise mit dem Body eines MOSFET verbunden, wodurch ein Gerät mit drei Anschlüssen entsteht. MOSFETs werden normalerweise als Transistoren bezeichnet und sowohl in analogen als auch in digitalen Schaltkreisen verwendet. Sie sind in vielen verschiedenen Arten von elektronischen Geräten zu finden, darunter Computer, Mobiltelefone und Autos. MOSFETs sind relativ einfache elektronische Bauteile, haben aber dennoch das Potenzial, unglaublich stark und effektiv zu sein.

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MOSFET-Struktur und -Symbol

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  Sowohl Verarmungs- als auch Anreicherungstyp-MOSFETs verändern den Fluss der Ladungsträger – Elektronen für n-Kanal- oder Löcher für p-Kanal-Geräte – durch den halbleitenden Drain-Source-Kanal, indem sie das durch die Gate-Spannung erzeugte elektrische Feld anpassen. Direkt unter den Drain- und Source-Elektroden befindet sich ein Paar winziger n-Typ-Bereiche, und die Gate-Elektrode liegt auf einer sehr dünnen Isolierschicht. Das Gate eines Sperrschicht-Feldeffekttransistors muss vorgespannt werden, um die pn-Sperrschicht in Sperrrichtung vorzuspannen. Bei MOSFET-Bauelementen mit isoliertem Gate gibt es derartige Einschränkungen jedoch nicht, sodass es möglich ist, das Gate eines MOSFET entweder mit positiver (+ve) oder negativer (-ve) Polarität vorzuspannen. Da sie ohne Vorspannung im Allgemeinen nichtleitend sind und da MOSFETs spannungsgesteuerte Bauelemente sind, ist bei ihrer Verwendung als elektronische Schalter oder zum Erstellen logischer Gatter nur sehr wenig oder kein Steuerstrom erforderlich, was ihren Wert erhöht.  

Wofür wird ein MOSFET verwendet?

  • Schaltanwendungen: Eine der Hauptanwendungen für MOSFETs ist das Schalten. MOSFETs können als elektronische Schalter fungieren und den Stromfluss in einem Schaltkreis regeln. Sie können schnell ein- und ausgeschaltet werden, wodurch sie den Stromfluss präzise und effektiv steuern können. In Stromversorgungen, Motorsteuerungsschaltungen, LED-Treibern und anderen Situationen, in denen effizientes Schalten erforderlich ist, werden häufig MOSFETs eingesetzt.
  • Verstärkung: MOSFETs können auch zur Verstärkung verwendet werden. Der MOSFET kann verwendet werden, um einen größeren Ausgangsstrom oder eine größere Ausgangsspannung zu steuern, indem er am Gate-Anschluss mit einer winzigen Eingangsspannung oder einem winzigen Eingangsstrom versorgt wird. Dies qualifiziert MOSFETs für den Einsatz in HF-Verstärkern, Audioverstärkern und anderen Anwendungen, die eine Signalverstärkung erfordern.
  • Leistungselektronik: MOSFETs werden aufgrund ihrer Fähigkeit, hohe Spannungen und Ströme zu tolerieren, häufig in Leistungselektronikanwendungen eingesetzt. Stromversorgungen, Spannungsregler, Wechselrichter und Motorsteuerungsschaltungen sind beliebte Einsatzorte. Bei Stromumwandlungsanwendungen verringert der niedrige Einschaltwiderstand von MOSFETs die Leistungsverluste und steigert die Gesamteffizienz.
  • Digitale Logikschaltungen: MOSFETs dienen als grundlegende Komponenten digitaler Logikschaltungen. Sie werden in integrierten Schaltkreisen (ICs) verwendet, um Logikgatter wie UND-, ODER- und NICHT-Gatter herzustellen, die den Grundstein digitaler Systeme bilden. Schlüsselelemente von Mikroprozessoren, Speicherchips und anderen digitalen Geräten sind MOSFET-basierte Logikgatter.
  • Hochfrequenzanwendungen (RF): MOSFETs werden häufig in Hochfrequenzanwendungen (RF) eingesetzt, darunter HF-Verstärker, Radarsysteme und drahtlose Kommunikationssysteme. Hochfrequenzbetrieb ist möglich und sie weisen eine recht gute Leistung in Bezug auf Verstärkung, Linearität und Leistungshandhabung auf.
  • Solarenergiesysteme: MOSFETs sind wesentliche Komponenten von Solarenergiesystemen, insbesondere von Solarwechselrichtern. Von Solarmodulen erzeugter Gleichstrom (DC) wird von Solarwechselrichtern in Wechselstrom (AC) umgewandelt, der zur Stromversorgung von Gebäuden genutzt werden kann. In der Leistungsstufe des Wechselrichters werden MOSFETs eingesetzt, um den Stromfluss effektiv umzuwandeln und zu regulieren.
  • Automobilanwendungen: MOSFETs werden je nach Anwendung häufig in der Fahrzeugelektronik eingesetzt. Sie sind in einer Reihe von Systemen zu finden, wie z. B. in Antriebsstrangsteuermodulen (PCMs), Motorsteuersystemen, Beleuchtungssystemen und Motorsteuergeräten (ECUs). In Automobilanwendungen bieten MOSFETs die erforderlichen effektiven Schalt- und Hochleistungsfähigkeiten.
 

MOSFET-Verstärker

Aufgrund ihrer hohen Eingangsimpedanz, niedrigen Ausgangsimpedanz und großen Linearität werden MOSFETs häufig in Audioverstärkern eingesetzt. Mithilfe von MOSFETs können zahlreiche Verstärkerschaltungen aufgebaut werden. Der Common-Source-Verstärker ist eine beliebte Art von MOSFET-Verstärker. Unten sehen Sie ein Diagramm des Common-Source-Verstärkers:

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  Der Common-Source-Verstärker ist ein Spannungsverstärker. Es verstärkt die Spannung des Eingangssignals um den Faktor Av, der durch die folgende Gleichung gegeben ist: Av = -gm * Rd  

MOSFET-Anwendungen in Airsoft-Waffen

  Airsoft-Waffen verwenden MOSFETs (Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren), um Leistung und Zuverlässigkeit zu verbessern. Die Abzugsreaktion, die Schussrate und der Motorverschleiß können alle verbessert werden, indem der zum Motor fließende Strom mit MOSFETs gesteuert wird.   Hier sind einige der spezifischen Vorteile der Verwendung von MOSFETs in Airsoft-Waffen:
  • Erhöhte Abzugsreaktion: MOSFETs können die Zeit zwischen dem Drücken des Abzugs und dem Abfeuern der Pistole verkürzen. Dies liegt daran, dass MOSFETs den Strom zum Motor viel schneller ein- und ausschalten als herkömmliche mechanische Schalter.
  • Erhöhte Feuerrate: MOSFETs können den Motor schneller laufen lassen, was die Feuerrate der Waffe verbessert.
  • Geringere Abnutzung des Motors: Durch die Begrenzung der Strommenge, die durch den Motor fließen kann, können MOSFETs dazu beitragen, die Abnutzung des Motors zu verringern. Dies ist entscheidend für leistungsstarke Airsoft-Waffen, da sie den Motor stark beanspruchen können.
  • Längere Batterielebensdauer: MOSFETs können die Batterielebensdauer verlängern, indem sie den Stromverbrauch des Motors reduzieren.
 

Diodengeschaltete MOSFETs

Ein MOSFET, bei dem eine Diode in Reihe über die Drain- und Source-Anschlüsse geschaltet ist, wird als diodengeschalteter MOSFET bezeichnet. Wenn die Sperrspannung anliegt, verhindert die Diode, dass sich der MOSFET einschaltet. In Motorsteuerungsschaltungen werden diodengeschaltete MOSFETs häufig verwendet, um den MOSFET vor Sperrspannungsspitzen zu schützen. In einigen Stromversorgungsschaltungen werden sie auch verwendet, um einen niederohmigen Pfad für den Stromfluss zu schaffen, wenn der MOSFET ausgeschaltet ist. Hier ist ein Diagramm eines MOSFET mit Diodenanschluss:

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  Normalerweise ist die Diode umgekehrt verdrahtet, um zu verhindern, dass Elektrizität vom Drain zur Quelle fließt. Wenn der MOSFET eingeschaltet ist, kann Strom von der Quelle zum Abfluss durch ihn fließen. Wenn der MOSFET jedoch ausgeschaltet ist, blockiert die Diode den Stromfluss vom Abfluss zur Quelle.  

MOSFETs vs. BJTs

BJTs sind bipolare Sperrschichttransistoren, was bedeutet, dass der Strom, der durch den Basisanschluss fließt, den Stromfluss zwischen den Kollektor- und Emitteranschlüssen reguliert.
  • Struktur: MOSFETs sind Mehrheitsträgerbauelemente, was bedeutet, dass ihre Leitung von der Bewegung der Mehrheit der Ladungsträger (Elektronen oder Löcher) abhängt. BJTs hingegen basieren sowohl auf Mehrheits- als auch auf Minderheitsladungsträgern, was sie zu Minoritätsträgergeräten macht.
  • Spannungsregelung: MOSFETs sind spannungsgesteuerte elektronische Geräte, bei denen die Kanalleitfähigkeit durch die Gate-Spannung bestimmt wird. BJTs sind stromgesteuerte elektronische Geräte, bei denen der Kollektorstrom durch den Basisstrom gesteuert wird.
  • Energieeffizienz: Aufgrund ihres niedrigen Einschaltwiderstands und unbedeutenden Eingangsstroms weisen MOSFETs häufig eine bessere Energieeffizienz auf als BJTs.
  • Schaltgeschwindigkeit: MOSFETs sind aufgrund ihrer schnelleren Schaltgeschwindigkeiten besser für Hochfrequenzanwendungen geeignet als BJTs.
  • Störfestigkeit: Aufgrund ihrer hohen Eingangsimpedanz sind MOSFETs störfester als BJTs, die empfindlicher auf Störungen reagieren.
 

IGBTs vs. MOSFETs

IGBTs sind eine Kombination aus MOSFETs und BJTs. Sie vereinen die besten Eigenschaften beider Transistortypen: die hohe Eingangsimpedanz und das schnelle Schalten von MOSFETs mit der hohen Stromverstärkung von BJTs.
  • Spannungs- und Stromhandhabung: IGBTs können Spannungs- und Strompegel besser handhaben als MOSFETs, weshalb sie für Hochleistungsanwendungen geeignet sind.
  • Schaltgeschwindigkeit: IGBTs sind aufgrund ihrer geringeren Schaltverluste trotz der im Vergleich zu IGBTs höheren Schaltgeschwindigkeiten von MOSFETs für Hochleistungsanwendungen effektiver.
  • Anforderungen an Gate-Ansteuerung: IGBTs benötigen höhere Gate-Ansteuerungsspannungen als MOSFETs, was sich auf die Komplexität der Steuerschaltung auswirkt.
  • Kosten: Im Vergleich zu IGBTs sind MOSFETs häufig wirtschaftlicher.
 

JFETs vs. MOSFETs

Sperrschicht-Feldeffekttransistoren oder JFETs werden durch die an den Gate-Anschlüssen bereitgestellte Sperrspannung gesteuert. Aufgrund der Verarmungszone, die diese Sperrspannung im Kanal verursacht, wird der Stromfluss des Geräts reduziert.
  • Struktur: Da es sich bei JFETs um Geräte im Verarmungsmodus handelt, sind sie normalerweise eingeschaltet und benötigen eine Sperrvorspannung, um die Kanalleitfähigkeit zu regulieren. Sowohl MOSFETs im Anreicherungsmodus als auch im Verarmungsmodus sind möglich.
  • Spannungsregelung: JFETs sind spannungsgesteuerte elektronische Bauteile, die ähnlich wie MOSFETs funktionieren, indem die Gate-Spannung die Leitfähigkeit des Kanals bestimmt.
  • Eingangsimpedanz: JFETs eignen sich für Anwendungen, die eine hohe Eingangsimpedanz erfordern, da sie eine höhere Eingangsimpedanz als MOSFETs haben.
  • Rauschverhalten: Aufgrund ihres geringeren Gate-Leckstroms als MOSFETs arbeiten JFETs typischerweise lauter als diese Geräte.
 

FinFETs vs. MOSFETs

  • Struktur: Flossenartige Kanalstrukturen in drei Dimensionen sind ein Merkmal der als FinFETs bekannten MOSFET-Klasse, die die Kanalsteuerung verbessern und den Leckstrom senken.
  • Energieeffizienz: FinFETs haben eine bessere Kontrolle über den Leckstrom als herkömmliche planare MOSFETs, was zu einer höheren Energieeffizienz führt.
  • Skalierung: FinFETs sind skalierbarer als planare MOSFETs und ermöglichen eine weitere Verkleinerung und verbesserte Leistung in modernsten Halbleitertechnologien.
  • Gate-Steuerung: Im Vergleich zu planaren MOSFETs bieten FinFETs eine bessere Gate-Steuerung und verringern die Auswirkungen kurzer Kanäle.
 

Wie testet man MOSFETs?

  1. Sicherheit gewährleisten: Um Stromschläge zu vermeiden, schalten Sie unbedingt die Stromversorgung aus und entladen Sie alle Kondensatoren im Schaltkreis, bevor Sie MOSFETs testen.
  2. Besorgen Sie sich die notwendigen Werkzeuge: Zum Anschließen des MOSFETs sind ein Steckbrett oder eine Testschaltung sowie ein digitales Multimeter (DMM) zum Messen von Spannung, Strom und Widerstand erforderlich.
  3. Identifizieren Sie die MOSFET-Pins: Das Gate (G), der Drain (D) und die Source (S) sind die drei Anschlüsse eines MOSFET. Um die Pin-Konfiguration zu bestimmen, verwenden Sie das Datenblatt oder die Markierungen auf dem MOSFET.
  4. Widerstandsmessung: Stellen Sie Ihr DMM auf den Widerstandsmodus (Ohmmeter), um den Widerstand zu messen. Die positiven und negativen Leitungen des DMM sollten jeweils mit den Gate- und Source-Anschlüssen verbunden werden. Der Widerstand eines guten MOSFET sollte sowohl in Vorwärts- als auch in Rückwärtsrichtung hoch sein (im Megaohm-Bereich).
  5. Diodenmodus-Test: Stellen Sie den Diodenmodus auf Ihrem DMM ein. Positive und negative Leitungen sollten jeweils mit den Drain- und Source-Anschlüssen verbunden werden. Messen Sie noch einmal, während Sie die Leitungen vertauschen. Ein guter MOSFET sollte bei Vorwärtsvorspannung einen niedrigen Widerstand (zwischen 0,5 und 1,0 V) und bei Rückwärtsvorspannung einen hohen Widerstand (OL oder Überlast) aufweisen.
  6. Spannungsprüfung: Richten Sie den MOSFET in der gewünschten Konfiguration auf einem Steckbrett oder einer Testschaltung ein. Messen Sie die Spannung am Drain-Anschluss, nachdem Sie eine geeignete Spannung an den Gate-Anschluss angelegt haben (das Datenblatt gibt den zulässigen Spannungsbereich an). Wenn sich der MOSFET im Zustand „EIN“ befindet, sollte die Drain-Source-Spannung nahe Null (im mV-Bereich) liegen, und wenn er sich im Zustand „AUS“ befindet, sollte sie nahe der angelegten Spannung liegen.
  7. Stromprüfung: Messen Sie den Strom, der durch den Drain-Source-Pfad fließt, während Sie zur Stromprüfung eine geeignete Spannung an den Gate-Anschluss anlegen. Überprüfen Sie, ob der Strom für die gegebene Gate-Spannung innerhalb des im Datenblatt angegebenen Bereichs liegt.
  8. Schließen Sie den MOSFET entsprechend der gewünschten Konfiguration an einen Testkreis oder ein Steckbrett an.
  9. Wenden Sie die richtigen Eingangssignale oder Bedingungen an den Gate-Anschluss an und beobachten Sie das Verhalten des Kreises. Überprüfen Sie, ob der MOSFET seine beabsichtigte Funktion korrekt ausführt, z. B. Ein- und Ausschalten, Verstärken von Signalen oder Steuern des Stromflusses.
  Hinweis: Für genaue Testverfahren und Spezifikationen ist es wichtig, das Datenblatt des jeweiligen MOSFET zu konsultieren, da verschiedene MOSFETs Unterschiede in der Pin-Konfiguration, den Nennspannungen und den Testmethoden aufweisen können.  

Fazit

In diesem Blog haben wir die Welt der MOSFETs erkundet und ihre Symbole, Anwendungen und Vergleiche mit anderen Transistortypen behandelt. Wir haben die Bedeutung von MOSFETs in Airsoft-Waffen, ihre Rolle in Verstärkern und ihre Unterschiede im Vergleich zu BJTs, IGBTs und JFETs besprochen. Darüber hinaus haben wir Themen wie diodenverbundene MOSFETs, FinFETs und effektive MOSFET-Testmethoden angesprochen. Wenn Sie die Grundlagen und Anwendungen von MOSFETs verstehen, verfügen Sie über das Wissen, um fundierte Entscheidungen bei der Arbeit mit diesen vielseitigen Halbleiterbauelementen zu treffen. Egal, ob Sie ein Elektronik-Enthusiast, ein Airsoft-Bastler oder ein neugieriger Lernender sind, MOSFETs sind eine spannende und wesentliche Komponente, die es in der Welt der Elektronik zu erkunden gilt.  
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