Kingbright
WP3DP3BT
Sensors
WP3DP3BT
54-WP3DP3BT
SENSOR PHOTO TOP VIEW RADIAL
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Technische Daten
Number of Channels per Chip
1
Unit Weight
0.004944 oz
Fabrication Technology
NPN Transistor
Produkt
Phototransistors
PPAP
No
Fall Time
15 us
Produktstatus
Active
Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.)
30 V
RoHS
RoHS Compliant
Automotive
No
Supplier Package
T-1 3/4
Verpackung/Koffer
Radial
REACH-Status
REACH Unaffected
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)
0.8
Lens Shape Type
Domed
EU RoHS
Compliant
Peak Wavelength
940 nm
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
Not Applicable
Betriebstemperatur
-40°C ~ 85°C (TA)
Collector-Emitter Breakdown Voltage
30 V
Strom - Kollektor (Ic) (Max)
500 µA
Maximum Collector Current (mA)
0.2(Typ)
Maximum Fall Time (ns)
15(Typ)
ECCN
EAR99
Orientierung
Top View
Befestigungsart
Through Hole
Wellenlänge
940 nm
Maximum Emitter-Collector Voltage (V)
5
Pin Count
2
Mounting
Through Hole
Rise Time
15 us
Viewing Orientation
Top View
Lead Shape
Through Hole
Peak Wavelength (nm)
940
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
30 V
HTSUS
8541.49.7080
Paket
Bulk
Linsenfarbe
Blue
USHTS
8541497080
Maximum On-State Collector Current
200 uA
PCB changed
2
HTS
8541.41.00.00
Blickwinkel
-
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)
30
ECCN (US)
EAR99
Maximum Power Dissipation (mW)
100
Aktuell – Dunkel (Id) (Max)
100 nA
Minimum Operating Temperature (°C)
-40
Maximum Operating Temperature (°C)
85
Phototransistor Type
Phototransistor
Package Height
5
Collector-Emitter Saturation Voltage
800 mV
Hersteller
Kingbright
Höhe
5 mm
Maximum Operating Temperature
+ 85 C
Maximum Dark Current (nA)
100
Durchmesser
4
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Montageart
Through Hole
Maximum Rise Time (ns)
15(Typ)
Material
Silicon
Minimum Operating Temperature
- 40 C
Serie
-
Typ
Chip
Leistung max
100 mW
Part Status
Active
Pd - Power Dissipation
100 mW
Dark Current
100 nA
Basisproduktnummer
WP3DP3
WP3DP3BT Unterlagen
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