Vishay_VEMT3700F-GS08
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Vishay

VEMT3700F-GS08

Sensors
Vishay
VEMT3700F-GS08
54-VEMT3700F-GS08
Phototransistor IR Chip Silicon 940nm 2-Pin PLCC T/R
Auf Lager : 21794

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SCHNELLE ANFRAGE
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Technische Daten

Number of Channels per Chip
1
Unit Weight
0.434810 oz
Fabrication Technology
NPN Transistor
Light Current
500 uA
Produkt
Phototransistors
PPAP
No
Fall Time
2 us
RoHS
RoHS Compliant
Automotive
No
Supplier Package
PLCC
Verpackung/Koffer
PLCC-2
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)
0.3
Lens Shape Type
Flat
EU RoHS
Compliant
Peak Wavelength
850 nm
Collector-Emitter Breakdown Voltage
70 V
Maximum Collector Current (mA)
50
Maximum Fall Time (ns)
6000(Typ)
ECCN
EAR99
Standard Package Name
LCC
Wellenlänge
940 nm
Maximum Emitter-Collector Voltage (V)
5
Pin Count
2
Mounting
Surface Mount
Rise Time
6 us
Moisture Sensitive
Yes
Viewing Orientation
Top View
Lead Shape
J-Lead
Peak Wavelength (nm)
940
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
70 V
Paket
Tape and Reel
USHTS
8541498000
Maximum Light Current (uA)
5000
Maximum On-State Collector Current
50 mA
PCB changed
2
HTS
8541.49.70.80
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)
70
ECCN (US)
EAR99
Maximum Power Dissipation (mW)
100
Minimum Operating Temperature (°C)
-40
Maximum Operating Temperature (°C)
100
Phototransistor Type
Phototransistor
Collector-Emitter Saturation Voltage
150 mV
Polarity
NPN
Maximum Operating Temperature
+ 100 C
Maximum Dark Current (nA)
200
Maximum Rise Time (ns)
6000(Typ)
Material
Silicon
Package Length
3
Minimum Operating Temperature
- 40 C
Serie
VEMT
Typ
IR Chip
Half Intensity Angle Degrees (°)
120
Half Intensity Angle Degrees
60 deg
Part Status
Active
Package Width
2.8
Pd - Power Dissipation
100 mW
Dark Current
200 nA

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