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VEMT2023SLX01
Sensors
VEMT2023SLX01
54-VEMT2023SLX01
Phototransistor Chip Silicon 860nm Automotive AEC-Q101 2-Pin SMD T/R
Auf Lager : 20794
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SCHNELLE ANFRAGE
ZUR RFQ-LISTE HINZUFÜGEN
Technische Daten
Unit Weight
0.009556 oz
Fabrication Technology
NPN
Light Current
2.7 mA
Produkt
Phototransistors
PPAP
Unknown
RoHS
RoHS Compliant
Automotive
Yes
Supplier Package
SMD
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)
0.4
Lens Shape Type
Domed
EU RoHS
Compliant
Collector-Emitter Breakdown Voltage
20 V
Maximum Collector Current (mA)
50
ECCN
EAR99
Standard Package Name
SMD
Wellenlänge
860 nm
Maximum Emitter-Collector Voltage (V)
7
Pin Count
2
Mounting
Surface Mount
Qualifikation
AEC-Q100
Moisture Sensitive
Yes
Viewing Orientation
Side View
Peak Wavelength (nm)
860
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
20 V
Paket
Tape and Reel
USHTS
8541410000
Maximum Light Current (uA)
4100
Maximum On-State Collector Current
50 mA
PCB changed
2
HTS
8541.49.70.80
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)
20
ECCN (US)
EAR99
Maximum Power Dissipation (mW)
100
Minimum Operating Temperature (°C)
-40
Maximum Operating Temperature (°C)
100
Phototransistor Type
Phototransistor
Package Height
2.3
Collector-Emitter Saturation Voltage
400 mV
Polarity
NPN
Maximum Operating Temperature
+ 100 C
Maximum Dark Current (nA)
100
Material
Silicon
Package Length
2.3
Minimum Operating Temperature
- 40 C
Serie
VEMT
Typ
Chip
Half Intensity Angle Degrees (°)
35
Part Status
Active
Package Width
2.55
Pd - Power Dissipation
100 mW
Dark Current
1 nA
VEMT2023SLX01 Unterlagen
Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation herunter für VEMT2023SLX01
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