Vishay
VEMD4160X02
Sensors
VEMD4160X02
54-VEMD4160X02
Silicon PIN Photodiode
Auf Lager : 2717
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SCHNELLE ANFRAGE
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Technische Daten
HTS
8541.49.10.10
ECCN (US)
EAR99
Produkt
PIN Photodiodes
Fall Time
125 ns
RoHS
RoHS Compliant
Minimum Operating Temperature (°C)
-40
Maximum Operating Temperature (°C)
125
Vr - Reverse Voltage
20 V
Verpackung/Koffer
0805 (2012 metric)
Polarity
Reverse
Photodiode Material
Si
Maximum Reverse Voltage (V)
20
Photodiode Type
PIN
Maximum Operating Temperature
+ 125 C
If - Forward Current
50 mA
Maximum Dark Current (nA)
2
Maximum Forward Voltage (V)
1.3
Peak Wavelength
830 nm
Montageart
SMD/SMT
Maximum Rise Time (ns)
160(Typ)
Maximum Fall Time (ns)
125(Typ)
ECCN
EAR99
Minimum Operating Temperature
- 40 C
Serie
VEMD4160X02
Typ
Module
Rise Time
160 ns
Photocurrent
1.4 uA
Moisture Sensitive
Yes
Half Intensity Angle Degrees
56 deg
Part Status
Active
Peak Wavelength (nm)
830
Paket
Reel
USHTS
8541491050
Maximum Light Current (uA)
2.8
Dark Current
2 nA
VEMD4160X02 Unterlagen
Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation herunter für VEMD4160X02
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