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TEMT7100X01
Sensors
TEMT7100X01
54-TEMT7100X01
Phototransistor IR Chip Silicon 870nm Automotive AEC-Q101 2-Pin SMD T/R
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SCHNELLE ANFRAGE
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Technische Daten
Number of Channels per Chip
1
Unit Weight
0.003855 oz
Fabrication Technology
NPN Transistor
PCB changed
2
HTS
COMPONENTS
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)
20
ECCN (US)
EAR99
PPAP
Unknown
Maximum Power Dissipation (mW)
100
RoHS
RoHS Compliant
Automotive
Yes
Minimum Operating Temperature (°C)
-40
Maximum Operating Temperature (°C)
100
Supplier Package
SMD
Phototransistor Type
Phototransistor
Package Height
0.85
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)
0.4
Polarity
NPN
Lens Shape Type
Flat
EU RoHS
Compliant
Maximum Dark Current (nA)
100
Maximum Collector Current (mA)
20
ECCN
EAR99
Material
Silicon
Package Length
2
Standard Package Name
SMD
Maximum Emitter-Collector Voltage (V)
7
Pin Count
2
Mounting
Surface Mount
Typ
IR Chip
Qualifikation
AEC-Q100
Moisture Sensitive
Yes
Viewing Orientation
Top View
Half Intensity Angle Degrees (°)
120
Part Status
Active
Peak Wavelength (nm)
870
Paket
Tape and Reel
Package Width
1.25
USHTS
8541498000
Maximum Light Current (uA)
675
TEMT7100X01 Unterlagen
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