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TEKT5400S
Sensors
TEKT5400S
54-TEKT5400S
Phototransistor IR Chip Silicon 920nm 2-Pin
Auf Lager : 40856
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SCHNELLE ANFRAGE
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Technische Daten
Number of Channels per Chip
1
Unit Weight
0.005427 oz
Fabrication Technology
NPN Transistor
Light Current
4 mA
Produkt
Phototransistors
PPAP
No
Fall Time
8 us
RoHS
RoHS Compliant
Automotive
No
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)
0.3
Lens Shape Type
Domed
EU RoHS
Compliant
Peak Wavelength
920 nm
Maximum Collector Current (mA)
100
ECCN
EAR99
Wellenlänge
920 nm
Maximum Emitter-Collector Voltage (V)
7
Pin Count
2
Mounting
Through Hole
Rise Time
6 us
Viewing Orientation
Side View
Peak Wavelength (nm)
920
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
70 V
Paket
Bulk
USHTS
8541498000
Maximum Light Current (uA)
4000
Maximum On-State Collector Current
100 mA
PCB changed
2
HTS
8541.49.80.00
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)
70
ECCN (US)
EAR99
Maximum Power Dissipation (mW)
150
Minimum Operating Temperature (°C)
-40
Maximum Operating Temperature (°C)
85
Phototransistor Type
Phototransistor
Package Height
5
Collector-Emitter Saturation Voltage
300 mV
Polarity
NPN
Höhe
5 mm
Maximum Operating Temperature
+ 85 C
Maximum Dark Current (nA)
100
Breite
2.65 mm
Montageart
Through Hole
Material
Silicon
Package Length
5
Minimum Operating Temperature
- 40 C
Cut-Off Filter
Visible Cut-off
Typ
IR Chip
Half Intensity Angle Degrees (°)
74
Länge
5 mm
Half Intensity Angle Degrees
37 deg
Part Status
Active
Package Width
2.65
Pd - Power Dissipation
150 mW
Dark Current
100 nA
TEKT5400S Unterlagen
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