ams OSRAM
SFH3600-3/4-Z
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SFH3600-3/4-Z
54-SFH3600-3/4-Z
Phototransistor Chip Silicon 990nm Automotive AEC-Q100 2-Pin MIDLED
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SFH3600-3/4-Z Beschreibung
Phototransistor Chip Silicon 990nm Automotive AEC-Q100 2-Pin MIDLED
Technische Daten
Number of Channels per Chip
1
Fabrication Technology
Phototransistor
PCB changed
2
HTS
8541.49.70.40
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)
35
ECCN (US)
EAR99
PPAP
Unknown
Maximum Power Dissipation (mW)
130
Automotive
Yes
Minimum Operating Temperature (°C)
-40
Maximum Operating Temperature (°C)
100
Supplier Package
MIDLED
Phototransistor Type
Phototransistor
Package Height
1.7(Max)
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)
0.15
Lens Shape Type
Flat
EU RoHS
Compliant
Maximum Dark Current (nA)
50
Maximum Rise Time (ns)
45000/70000
Maximum Collector Current (mA)
15
Maximum Fall Time (ns)
45000/70000
Material
Silicon
Package Length
3.3(Max)
Standard Package Name
MIDLED
Maximum Emitter-Collector Voltage (V)
7
Pin Count
2
Mounting
Surface Mount
Typ
Chip
Viewing Orientation
Top View
Half Intensity Angle Degrees (°)
40
Part Status
Obsolete
Peak Wavelength (nm)
990
Package Width
2.35(Max)
Maximum Light Current (uA)
320/500
SFH3600-3/4-Z Unterlagen
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