ams OSRAM
SFH3010-Z
Sensors
SFH3010-Z
54-SFH3010-Z
Phototransistor Chip Silicon 860nm 2-Pin SMT
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SCHNELLE ANFRAGE
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Technische Daten
Number of Channels per Chip
1
Fabrication Technology
NPN Transistor
PCB changed
2
HTS
8541.41.00.00
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)
30
ECCN (US)
EAR99
PPAP
No
Maximum Power Dissipation (mW)
130
Automotive
No
Minimum Operating Temperature (°C)
-40
Maximum Operating Temperature (°C)
100
Supplier Package
SMT
Phototransistor Type
Phototransistor
Package Height
0.65
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)
0.14
Polarity
NPN
Lens Shape Type
Flat
EU RoHS
Compliant
Maximum Dark Current (nA)
50
Maximum Rise Time (ns)
7000
Maximum Collector Current (mA)
15
Maximum Fall Time (ns)
7000
Material
Silicon
Package Length
1.3
Standard Package Name
SMD
Maximum Emitter-Collector Voltage (V)
7
Pin Count
2
Mounting
Surface Mount
Typ
Chip
Viewing Orientation
Top View
Half Intensity Angle Degrees (°)
160
Lead Shape
No Lead
Part Status
Obsolete
Peak Wavelength (nm)
860
Package Width
0.8
Maximum Light Current (uA)
25(Min)
SFH3010-Z Unterlagen
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