ams OSRAM
SFH300-3/4-Z
Sensors
SFH300-3/4-Z
54-SFH300-3/4-Z
Phototransistor Chip Silicon 880nm 2-Pin T-1 3/4
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SCHNELLE ANFRAGE
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Technische Daten
Number of Channels per Chip
1
Fabrication Technology
NPN Transistor
PCB changed
2
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)
35
ECCN (US)
EAR99
PPAP
No
Maximum Power Dissipation (mW)
200
Automotive
No
Minimum Operating Temperature (°C)
-40
Maximum Operating Temperature (°C)
100
Supplier Package
T-1 3/4
Phototransistor Type
Phototransistor
Package Height
9(Max)
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)
0.14/0.15
Polarity
NPN
Lens Shape Type
Domed
EU RoHS
Compliant
Maximum Dark Current (nA)
50
Durchmesser
5.9(Max)
Maximum Rise Time (ns)
10000
Maximum Collector Current (mA)
50
Maximum Fall Time (ns)
10000
Material
Silicon
Supplier Temperature Grade
Industrial
Maximum Emitter-Collector Voltage (V)
7
Pin Count
2
Mounting
Through Hole
Typ
Chip
Viewing Orientation
Top View
Half Intensity Angle Degrees (°)
50
Lead Shape
Through Hole
Part Status
Active
Peak Wavelength (nm)
880
Maximum Light Current (uA)
4800/7700
SFH300-3/4-Z Unterlagen
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