ams OSRAM
SFH 3211 FA-3/4
Sensors
SFH 3211 FA-3/4
54-SFH 3211 FA-3/4
Phototransistor IR Chip Silicon 980nm Automotive AEC-Q100 2-Pin SMT
Auf Lager : 1739
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SCHNELLE ANFRAGE
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Technische Daten
Number of Channels per Chip
1
Unit Weight
0.001235 oz
Fabrication Technology
NPN Transistor
Light Current
80 uA
Produkt
Phototransistors
PPAP
Unknown
Fall Time
8 us
RoHS
RoHS Compliant
Automotive
Yes
Propagation Delay - Max
-
Tradename
TOPLED
Supplier Package
SMT
Verpackung/Koffer
PLLC-2
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)
0.15
Lens Shape Type
Flat
EU RoHS
Compliant
Peak Wavelength
980 nm
Collector-Emitter Breakdown Voltage
35 V
Maximum Collector Current (mA)
15
Output Current
-
Maximum Fall Time (ns)
7000/8000
ECCN
EAR99
Standard Package Name
SMD
Wellenlänge
950 nm
Pin Count
2
Mounting
Surface Mount
Lens Color/Style
Black
Qualifikation
AEC-Q100
Rise Time
8 us
Moisture Sensitive
Yes
Viewing Orientation
Top View
Peak Wavelength (nm)
980
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
35 V
Paket
Reel
USHTS
8541497080
Maximum Light Current (uA)
650/1000
Maximum On-State Collector Current
15 mA
PCB changed
2
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)
35
ECCN (US)
EAR99
Maximum Power Dissipation (mW)
165
Minimum Operating Temperature (°C)
-40
Maximum Operating Temperature (°C)
100
Phototransistor Type
Phototransistor
Package Height
2.1(Max) - 0.1
Collector-Emitter Saturation Voltage
150 mV
Polarity
NPN
Höhe
1.9 mm
Maximum Operating Temperature
+ 100 C
Maximum Dark Current (nA)
200
Breite
2.8 mm
Montageart
SMD/SMT
Maximum Rise Time (ns)
7000/8000
Material
Silicon
Package Length
3.4(Max)
Minimum Operating Temperature
- 40 C
Cut-Off Filter
Visible Cut-off
Serie
SFH 3211 FA
Typ
IR Chip
Half Intensity Angle Degrees (°)
120
Länge
3.2 mm
Half Intensity Angle Degrees
60 deg
Part Status
Unconfirmed
Package Width
3(Max)
Pd - Power Dissipation
165 mW
Dark Current
1 nA
SFH 3211 FA-3/4 Unterlagen
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