ams OSRAM
SFH 3211 FA
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SFH 3211 FA
54-SFH 3211 FA
Phototransistor IR Chip Silicon 900nm Automotive AEC-Q100 2-Pin SMT
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SCHNELLE ANFRAGE
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SFH 3211 FA Beschreibung
Phototransistor IR Chip Silicon 900nm Automotive AEC-Q100 2-Pin SMT
Technische Daten
Number of Channels per Chip
1
Fabrication Technology
NPN Transistor
PCB changed
2
HTS
8541.49.70.80
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)
35
ECCN (US)
EAR99
PPAP
Unknown
Maximum Power Dissipation (mW)
165
Automotive
Yes
Minimum Operating Temperature (°C)
-40
Maximum Operating Temperature (°C)
100
Supplier Package
SMT
Phototransistor Type
Phototransistor
Package Height
2.1(Max) - 0.1
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)
0.15
Polarity
NPN
Lens Shape Type
Flat
EU RoHS
Compliant
Maximum Dark Current (nA)
200
Maximum Rise Time (ns)
7000
Maximum Collector Current (mA)
15
Maximum Fall Time (ns)
7000
Material
Silicon
Package Length
3.4(Max)
Standard Package Name
SMD
Pin Count
2
Cut-Off Filter
Visible Cut-off
Mounting
Surface Mount
Typ
IR Chip
Viewing Orientation
Top View
Half Intensity Angle Degrees (°)
120
Part Status
Active
Peak Wavelength (nm)
900
Package Width
3(Max)
Maximum Light Current (uA)
16
SFH 3211 FA Unterlagen
Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation herunter für SFH 3211 FA
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