Rohm Semiconductor
RPT-37PB3F
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RPT-37PB3F
54-RPT-37PB3F
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Technische Daten
Unit Weight
0.007175 oz
Maximum On-State Collector Current
30 mA
Blickwinkel
72°
Light Current
2 mA
Produkt
Phototransistors
Aktuell – Dunkel (Id) (Max)
500 nA
Fall Time
10 us
Produktstatus
Active
Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.)
32 V
RoHS
RoHS Compliant
Verpackung/Koffer
Radial
REACH-Status
REACH Unaffected
Collector-Emitter Saturation Voltage
400 mV
Hersteller
Rohm Semiconductor
Höhe
5.2 mm
Maximum Operating Temperature
+ 85 C
Breite
3.8 mm
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Peak Wavelength
800 nm
Montageart
Through Hole
Betriebstemperatur
-25°C ~ 85°C
Strom - Kollektor (Ic) (Max)
30 mA
ECCN
EAR99
Orientierung
Top View
Befestigungsart
Through Hole
Wellenlänge
800nm
Minimum Operating Temperature
- 25 C
Serie
RPT-37PB3F
Typ
Top View Type Phototransistor
Rise Time
10 us
Länge
3.8 mm
Leistung max
150 mW
Half Intensity Angle Degrees
36 deg
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
32 V
Paket
Bulk
Pd - Power Dissipation
150 mW
USHTS
8541497080
Dark Current
500 nA
RPT-37PB3F Unterlagen
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