Rohm Semiconductor_RPT-34PB3F
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Rohm Semiconductor

RPT-34PB3F

Sensors
RPT-34PB3F
54-RPT-34PB3F
SENSOR PHOTO 800NM TOP VIEW RAD
Auf Lager : 5949

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    Technische Daten

    Number of Channels per Chip
    1
    Unit Weight
    0.005784 oz
    Fabrication Technology
    NPN Transistor
    Light Current
    2 mA
    Produkt
    Phototransistors
    PPAP
    No
    Fall Time
    10 us
    Produktstatus
    Active
    Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.)
    32 V
    RoHS
    RoHS Compliant
    Automotive
    No
    Supplier Package
    T-1
    Verpackung/Koffer
    Radial
    REACH-Status
    REACH Unaffected
    Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)
    0.4
    Lens Shape Type
    Domed
    EU RoHS
    Compliant
    Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
    1 (Unlimited)
    Betriebstemperatur
    -25°C ~ 85°C (TA)
    Strom - Kollektor (Ic) (Max)
    30 mA
    Maximum Collector Current (mA)
    30
    Maximum Fall Time (ns)
    10000(Typ)
    ECCN
    EAR99
    Orientierung
    Top View
    Befestigungsart
    Through Hole
    Wellenlänge
    800nm
    Maximum Emitter-Collector Voltage (V)
    5
    Pin Count
    2
    Mounting
    Through Hole
    Rise Time
    10 us
    Viewing Orientation
    Top View
    Lead Shape
    Through Hole
    Peak Wavelength (nm)
    800
    Collector- Emitter Voltage VCEO Max
    32 V
    HTSUS
    8541.49.7080
    Paket
    Bulk
    USHTS
    8541497080
    Maximum Light Current (uA)
    2000(Min)
    Maximum On-State Collector Current
    30 mA
    PCB changed
    2
    HTS
    8541.49.70.80
    Blickwinkel
    72°
    Maximum Collector-Emitter Voltage (V)
    32
    ECCN (US)
    EAR99
    Maximum Power Dissipation (mW)
    150
    Aktuell – Dunkel (Id) (Max)
    500 nA
    Minimum Operating Temperature (°C)
    -25
    Maximum Operating Temperature (°C)
    85
    Phototransistor Type
    Phototransistor
    Package Height
    5.2
    Collector-Emitter Saturation Voltage
    400 mV
    Hersteller
    Rohm Semiconductor
    Polarity
    NPN
    Höhe
    5.2 mm
    Maximum Operating Temperature
    + 85 C
    Maximum Dark Current (nA)
    500
    Breite
    3.8 mm
    Durchmesser
    3.8
    RoHS-Status
    ROHS3 Compliant
    Montageart
    Through Hole
    Maximum Rise Time (ns)
    10000(Typ)
    Material
    Silicon
    Minimum Operating Temperature
    - 25 C
    Serie
    RPT-34PB3F
    Typ
    Chip
    Half Intensity Angle Degrees (°)
    72
    Länge
    3.8 mm
    Leistung max
    150 mW
    Half Intensity Angle Degrees
    36 deg
    Part Status
    Active
    Pd - Power Dissipation
    150 mW
    Dark Current
    500 nA
    Basisproduktnummer
    RPT-34

    RPT-34PB3F Unterlagen

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