Rohm Semiconductor
RPI-125
Sensors
RPI-125
54-RPI-125
SENSOR OPT SLOT PHOTOTRANS MODUL
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Technische Daten
Number of Channels per Chip
1
Erfassungsdistanz
0.047" (1.2mm)
PPAP
No
Fall Time
10 us
Produktstatus
Active
Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.)
30 V
RoHS
RoHS Compliant
Automotive
No
Vr - Reverse Voltage
5 V
Verpackung/Koffer
Slotted Module
Anzahl der Kanäle
1 Channel
REACH-Status
REACH Unaffected
EU RoHS
Compliant
Output Device
Phototransistor
Slot Width
1.2 mm
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
Betriebstemperatur
-25°C ~ 85°C
Beendigungsstil
Solder Pin
Strom - Kollektor (Ic) (Max)
30 mA
Maximum Collector Current (mA)
30
Maximum Fall Time (ns)
10000(Typ)
ECCN
EAR99
Befestigungsart
Through Hole
Wellenlänge
950 nm
Pin Count
4
Mounting
Through Hole
Rise Time
10 us
Peak Wavelength (nm)
950
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
30 V
HTSUS
8541.49.8000
Paket
Bulk
USHTS
8541498000
PCB changed
4
Ausgabetyp
Phototransistor
Reaktionszeit
10µs
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)
30
ECCN (US)
EAR99
Maximum Collector Current
30 mA
Ausgabekonfiguration
Phototransistor
Erfassungsmethode
Transmissive, Slotted
Maximum Power Dissipation (mW)
80
Minimum Operating Temperature (°C)
-25
Gap Width (mm)
1.2
Maximum Operating Temperature (°C)
85
Package Height
2.8
Hersteller
Rohm Semiconductor
Maximum Reverse Voltage (V)
5
Höhe
2.8 mm
Maximum Operating Temperature
+ 85 C
If - Forward Current
50 mA
Maximum Forward Current (mA)
50
Breite
3.3 mm
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Montageart
Through Hole
Maximum Rise Time (ns)
10000(Typ)
Package Length
3.6
Minimum Operating Temperature
- 25 C
Serie
RPI-125
Typ
Unamplified
Länge
3.6 mm
Part Status
Active
Package Width
3.3
Pd - Power Dissipation
80 mW
Strom - DC vorwärts (If) (Max)
50 mA
Basisproduktnummer
RPI-125
RPI-125 Unterlagen
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