Rohm Semiconductor_RPI-122
Rohm Semiconductor_RPI-122
Rohm Semiconductor

RPI-122

Sensors
RPI-122
54-RPI-122
SENSOR OPT SLOT PHOTOTRAN PCB MT
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Technische Daten

Number of Channels per Chip
1
Erfassungsdistanz
0.031" (0.8mm)
PPAP
No
Fall Time
10 us
Produktstatus
Active
Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.)
30 V
RoHS
RoHS Compliant
Automotive
No
Vr - Reverse Voltage
5 V
Verpackung/Koffer
PCB Mount
Anzahl der Kanäle
1 Channel
REACH-Status
REACH Unaffected
EU RoHS
Compliant
Output Device
Phototransistor
Slot Width
0.8 mm
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
Betriebstemperatur
-25°C ~ 85°C
Strom - Kollektor (Ic) (Max)
30 mA
Maximum Collector Current (mA)
30
Maximum Fall Time (ns)
10000(Typ)
ECCN
EAR99
Befestigungsart
Through Hole
Wellenlänge
950 nm
Pin Count
4
Mounting
Through Hole
Rise Time
10 us
Lead Shape
Through Hole
Peak Wavelength (nm)
950
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
30 V
HTSUS
8541.49.8000
Paket
Bulk
USHTS
8541498000
PCB changed
4
Ausgabetyp
Phototransistor
Reaktionszeit
10µs, 10µs
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)
30
ECCN (US)
EAR99
Maximum Collector Current
30 mA
Ausgabekonfiguration
Phototransistor
Erfassungsmethode
Through-Beam
Maximum Power Dissipation (mW)
80
Minimum Operating Temperature (°C)
-25
Gap Width (mm)
0.8
Maximum Operating Temperature (°C)
85
Package Height
3.3
Hersteller
Rohm Semiconductor
Maximum Reverse Voltage (V)
5
Höhe
3.3 mm
Maximum Operating Temperature
+ 85 C
If - Forward Current
50 mA
Maximum Forward Current (mA)
50
Breite
3.4 mm
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Montageart
Through Hole
Maximum Rise Time (ns)
10000(Typ)
Package Length
4.4
Minimum Operating Temperature
- 25 C
Serie
RPI-122
Typ
Unamplified
Länge
4.4 mm
Part Status
Active
Package Width
3.4
Pd - Power Dissipation
80 mW
Strom - DC vorwärts (If) (Max)
50 mA

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