OSI Optoelectronics_RD-100
OSI Optoelectronics_RD-100
OSI Optoelectronics

RD-100

Sensors
RD-100
54-RD-100
SENSOR PHOTODIODE 950NM
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    Technische Daten

    Reaktionsfähigkeit @ nm
    0.6 A/W @ 900nm
    Betriebstemperatur
    -20°C ~ 60°C
    Reaktionszeit
    40ns
    ECCN
    EAR99
    Befestigungsart
    Through Hole
    Produktstatus
    Active
    Wellenlänge
    950nm
    Serie
    -
    Verpackung/Koffer
    -
    Aktiver Bereich
    100mm²
    Aktuell – Dunkel (Typ)
    2nA
    Hersteller
    OSI Optoelectronics, Inc.
    HTSUS
    8541.49.9500
    Paket
    Case
    Farbe – Verbessert
    -
    RoHS-Status
    ROHS3 Compliant
    Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
    1 (Unlimited)

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