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QTLP610CPDTR
Sensors
QTLP610CPDTR
54-QTLP610CPDTR
SENSOR PHOTO 860NM SIDE VIEW SMD
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Technische Daten
Number of Channels per Chip
1
Fabrication Technology
NPN Transistor
PPAP
No
Produktstatus
Active
Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.)
30 V
Automotive
No
Supplier Package
SMD
Verpackung/Koffer
2-SMD, No Lead
REACH-Status
REACH Unaffected
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)
0.4
Lens Shape Type
Domed
EU RoHS
Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
3 (168 Hours)
Betriebstemperatur
-25°C ~ 85°C (TA)
Strom - Kollektor (Ic) (Max)
500 µA
Maximum Collector Current (mA)
3.5
Maximum Fall Time (ns)
15000(Typ)
ECCN
EAR99
Orientierung
Side View
Befestigungsart
Surface Mount
Standard Package Name
SMD
Wellenlänge
860nm
Maximum Emitter-Collector Voltage (V)
5
Pin Count
2
Mounting
Surface Mount
Viewing Orientation
Side View
Lead Shape
No Lead
Peak Wavelength (nm)
860
HTSUS
8541.49.7080
Paket
Tape & Reel (TR)
Linsenfarbe
Water Clear
Maximum Light Current (uA)
500(Typ)
PCB changed
2
HTS
8541407080
Blickwinkel
160°
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)
30
ECCN (US)
EAR99
Maximum Power Dissipation (mW)
75
Aktuell – Dunkel (Id) (Max)
100 nA
Minimum Operating Temperature (°C)
-25
Maximum Operating Temperature (°C)
85
Phototransistor Type
Phototransistor
Package Height
1.1(Max)
Hersteller
onsemi
Polarity
NPN
Maximum Dark Current (nA)
100
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Maximum Rise Time (ns)
15000(Typ)
Material
Silicon
Package Length
3.2(Max)
Serie
-
Typ
IR Chip
Half Intensity Angle Degrees (°)
80
Leistung max
75 mW
Part Status
Active
Package Width
2.2(Max)
Basisproduktnummer
QTLP610
QTLP610CPDTR Unterlagen
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TE Connectivity
PEC12R-4217F-S0024
Bourns, Inc.
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