onsemi
QSB363YR
Sensors
QSB363YR
54-QSB363YR
SENSOR PHOTO 940NM TOP VIEW 2SMD
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SCHNELLE ANFRAGE
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Technische Daten
Number of Channels per Chip
1
Fabrication Technology
NPN Transistor
PPAP
No
Produktstatus
Active
Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.)
30 V
Automotive
No
Supplier Package
T-3/4
Verpackung/Koffer
2-SMD, Yoke Bend
REACH-Status
REACH Unaffected
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)
0.4
Lens Shape Type
Domed
EU RoHS
Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
3 (168 Hours)
Betriebstemperatur
-40°C ~ 85°C (TA)
Maximum Collector Current (mA)
2
Maximum Fall Time (ns)
15000(Typ)
ECCN
EAR99
Orientierung
Top View
Befestigungsart
Surface Mount
Wellenlänge
940nm
Maximum Emitter-Collector Voltage (V)
5
Pin Count
2
Mounting
Surface Mount
Viewing Orientation
Top View
Peak Wavelength (nm)
940
HTSUS
8541.49.7080
Paket
Tape & Reel (TR)
Linsenfarbe
Black Transparent
Maximum Light Current (uA)
1500(Typ)
PCB changed
2
HTS
8541407080
Blickwinkel
24°
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)
30
ECCN (US)
EAR99
Maximum Power Dissipation (mW)
75
Aktuell – Dunkel (Id) (Max)
100 nA
Minimum Operating Temperature (°C)
-40
Maximum Operating Temperature (°C)
85
Phototransistor Type
Phototransistor
Package Height
3(Max)
Hersteller
onsemi
Polarity
NPN
Maximum Dark Current (nA)
100
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Maximum Rise Time (ns)
15000(Typ)
Material
Silicon
Package Length
2.7(Max)
Cut-Off Filter
Visible Cut-off
Serie
-
Typ
IR Chip
Half Intensity Angle Degrees (°)
24
Leistung max
75 mW
Part Status
Active
Package Width
2.2(Max)
Basisproduktnummer
QSB363
QSB363YR Unterlagen
Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation herunter für QSB363YR
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DP11VN15B25S
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DP11HN15B20S
TE Connectivity
HEDR-55L2-BH01
Broadcom
DP09SHN15A25F
TE Connectivity
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Same Sky
EBL30J103
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01021-029
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Bourns, Inc.
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