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Fairchild (onsemi)_QSB363
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Phototransistors T-3/4 PHOTO SENSOR
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Beschreibung Technische Daten Unterlagen Einkaufsführer

Technische Daten

Unit Weight
0.003175 oz
Maximum On-State Collector Current
1.5 mA
Produkt
Phototransistors
Fall Time
15 us
RoHS
RoHS Compliant
Verpackung/Koffer
T-3/4
Collector-Emitter Saturation Voltage
400 mV
Höhe
3 mm
Maximum Operating Temperature
+ 85 C
Breite
2.2 mm
Peak Wavelength
940 nm
Montageart
SMD/SMT
Collector-Emitter Breakdown Voltage
30 V
ECCN
EAR99
Wellenlänge
940 nm
Minimum Operating Temperature
- 40 C
Serie
QSB363
Lens Color/Style
Black
Rise Time
15 us
Länge
2.7 mm
Half Intensity Angle Degrees
24 deg
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
30 V
Paket
Bulk
Pd - Power Dissipation
75 mW
USHTS
8541497080
Dark Current
100 nA

QSB363 Unterlagen

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