Everlight Electronics
PT928-6C-6-2
Sensors
PT928-6C-6-2
54-PT928-6C-6-2
No Phototransistor IR Chip Silicon 940nm
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SCHNELLE ANFRAGE
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Technische Daten
Number of Channels per Chip
1
Fabrication Technology
NPN Transistor
HTS
8541.49.70.40
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)
30
ECCN (US)
EAR99
Maximum Power Dissipation (mW)
75
Minimum Operating Temperature (°C)
-25
Maximum Operating Temperature (°C)
85
Phototransistor Type
Phototransistor
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)
0.4
Polarity
NPN
Lens Shape Type
Domed
EU RoHS
Compliant
Maximum Dark Current (nA)
100
Maximum Rise Time (ns)
15000(Typ)
Maximum Collector Current (mA)
20
Maximum Fall Time (ns)
15000(Typ)
Material
Silicon
Maximum Emitter-Collector Voltage (V)
5
Typ
IR Chip
Viewing Orientation
Side View
Part Status
Active
Peak Wavelength (nm)
940
Linsenfarbe
Water Clear
Maximum Light Current (uA)
3410
PT928-6C-6-2 Unterlagen
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