Everlight Electronics_PT5529B/L2-F
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Everlight Electronics

PT5529B/L2-F

Sensors
PT5529B/L2-F
54-PT5529B/L2-F
SENSOR PHOTO 940NM SIDE VIEW RAD
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    Technische Daten

    Number of Channels per Chip
    2
    Fabrication Technology
    NPN Transistor
    Produkt
    Phototransistors
    PPAP
    No
    Fall Time
    15 us
    Produktstatus
    Active
    Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.)
    30 V
    RoHS
    RoHS Compliant
    Automotive
    No
    Verpackung/Koffer
    Radial - 3 Leads
    Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)
    0.4
    Lens Shape Type
    Flat
    EU RoHS
    Compliant
    Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
    1 (Unlimited)
    Betriebstemperatur
    -40°C ~ 85°C (TA)
    Collector-Emitter Breakdown Voltage
    30 V
    Strom - Kollektor (Ic) (Max)
    20 mA
    Maximum Collector Current (mA)
    20
    Maximum Fall Time (ns)
    15000(Typ)
    ECCN
    EAR99
    Orientierung
    Side View
    Befestigungsart
    Through Hole
    Wellenlänge
    940nm
    Maximum Emitter-Collector Voltage (V)
    5
    Pin Count
    3
    Mounting
    Through Hole
    Rise Time
    15 us
    Viewing Orientation
    Side View
    Peak Wavelength (nm)
    940
    Collector- Emitter Voltage VCEO Max
    30 V
    HTSUS
    8541.49.7080
    Paket
    Bulk
    Linsenfarbe
    Black
    USHTS
    8541410000
    Maximum Light Current (uA)
    1085
    Maximum On-State Collector Current
    20 mA
    PCB changed
    3
    HTS
    8541.49.95.00
    Blickwinkel
    -
    Maximum Collector-Emitter Voltage (V)
    30
    ECCN (US)
    EAR99
    Maximum Power Dissipation (mW)
    75
    Aktuell – Dunkel (Id) (Max)
    100 nA
    Minimum Operating Temperature (°C)
    -25
    Maximum Operating Temperature (°C)
    85
    Phototransistor Type
    Phototransistor
    Package Height
    4.5
    Collector-Emitter Saturation Voltage
    400 mV
    Hersteller
    Everlight Electronics Co Ltd
    Polarity
    NPN
    Höhe
    4.5 mm
    Maximum Operating Temperature
    + 85 C
    Maximum Dark Current (nA)
    100
    Breite
    2.5 mm
    RoHS-Status
    ROHS3 Compliant
    Montageart
    Through Hole
    Maximum Rise Time (ns)
    15000(Typ)
    Material
    Silicon
    Package Length
    4.8
    Minimum Operating Temperature
    - 25 C
    Serie
    -
    Typ
    IR Chip
    Länge
    4.8 mm
    Part Status
    Active
    Package Width
    2.8
    Pd - Power Dissipation
    75 mW
    Dark Current
    100 nA
    Basisproduktnummer
    PT5529

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