Everlight Electronics
PT534-6B
Sensors
PT534-6B
54-PT534-6B
SENSOR PHOTO 940NM TOP VIEW RAD
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SCHNELLE ANFRAGE
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Technische Daten
Number of Channels per Chip
1
Fabrication Technology
NPN Transistor
Produkt
Phototransistors
PPAP
No
Produktstatus
Active
Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.)
30 V
RoHS
RoHS Compliant
Automotive
No
Supplier Package
T-1 3/4
Verpackung/Koffer
Radial, 5mm Dia (T 1 3/4)
REACH-Status
REACH Unaffected
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)
0.4
Lens Shape Type
Domed
EU RoHS
Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
Betriebstemperatur
-40°C ~ 85°C
Strom - Kollektor (Ic) (Max)
20 mA
Maximum Collector Current (mA)
20
Maximum Fall Time (ns)
15000(Typ)
ECCN
EAR99
Orientierung
Top View
Befestigungsart
Through Hole
Wellenlänge
940nm
Maximum Emitter-Collector Voltage (V)
5
Pin Count
2
Mounting
Through Hole
Viewing Orientation
Top View
Lead Shape
Through Hole
Peak Wavelength (nm)
940
HTSUS
8541.49.7080
Paket
Bulk
Linsenfarbe
Black
USHTS
8541410000
Maximum Light Current (uA)
1200(Typ)
PCB changed
2
HTS
8541.49.95.00
Blickwinkel
-
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)
30
ECCN (US)
EAR99
Maximum Power Dissipation (mW)
75
Aktuell – Dunkel (Id) (Max)
100 nA
Minimum Operating Temperature (°C)
-40
Maximum Operating Temperature (°C)
85
Phototransistor Type
Phototransistor
Package Height
8.6
Hersteller
Everlight Electronics Co Ltd
Polarity
NPN
Maximum Dark Current (nA)
100
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Maximum Rise Time (ns)
15000(Typ)
Material
Silicon
Package Length
2.54
Cut-Off Filter
Visible Cut-off
Serie
-
Typ
IR Chip
Part Status
Active
Package Width
2.54
Basisproduktnummer
PT534-6
PT534-6B Unterlagen
Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation herunter für PT534-6B
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