Everlight Electronics
PT26-21B/TR8
Sensors
PT26-21B/TR8
54-PT26-21B/TR8
SENSOR PHOTO 940NM TOP VIEW 1206
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SCHNELLE ANFRAGE
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Technische Daten
Number of Channels per Chip
1
Fabrication Technology
NPN Transistor
Produkt
Phototransistors
PPAP
No
Fall Time
15 us
Produktstatus
Active
Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.)
30 V
RoHS
RoHS Compliant
Automotive
No
Supplier Package
SMD
Verpackung/Koffer
1206 (3216 Metric)
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)
0.4
Lens Shape Type
Domed
EU RoHS
Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
3 (168 Hours)
Betriebstemperatur
-25°C ~ 85°C (TA)
Collector-Emitter Breakdown Voltage
60 V
Strom - Kollektor (Ic) (Max)
20 mA
Maximum Collector Current (mA)
20
Maximum Fall Time (ns)
20000(Typ)
ECCN
EAR99
Orientierung
Top View
Befestigungsart
Surface Mount
Standard Package Name
SMD
Wellenlänge
940nm
Maximum Emitter-Collector Voltage (V)
5
Pin Count
2
Mounting
Surface Mount
Rise Time
15 us
Moisture Sensitive
Yes
Viewing Orientation
Top View
Peak Wavelength (nm)
880
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
30 V
HTSUS
8541.49.7080
Paket
Tape & Reel (TR)
Linsenfarbe
Black
USHTS
8541497080
Maximum Light Current (uA)
1000(Typ)
Maximum On-State Collector Current
1 mA
PCB changed
2
HTS
8541.49.70.80
Blickwinkel
-
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)
30
ECCN (US)
EAR99
Maximum Power Dissipation (mW)
75
Aktuell – Dunkel (Id) (Max)
50 nA
Minimum Operating Temperature (°C)
-25
Maximum Operating Temperature (°C)
85
Phototransistor Type
Phototransistor
Collector-Emitter Saturation Voltage
400 mV
Hersteller
Everlight Electronics Co Ltd
Polarity
NPN
Maximum Operating Temperature
+ 85 C
Maximum Dark Current (nA)
50
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Maximum Rise Time (ns)
20000(Typ)
Material
Silicon
Package Length
3.2
Minimum Operating Temperature
- 25 C
Serie
-
Typ
IR Chip
Leistung max
75 mW
Part Status
Active
Package Width
1.6
Pd - Power Dissipation
75 mW
Dark Current
50 nA
Basisproduktnummer
PT26-21
PT26-21B/TR8 Unterlagen
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