TT Electronics / Optek Technology
OP800B
Sensors
OP800B
54-OP800B
Phototransistor Chip Silicon 890nm 3-Pin TO-18 Bag
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SCHNELLE ANFRAGE
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Technische Daten
Number of Channels per Chip
1
Fabrication Technology
NPN Transistor
PCB changed
3
HTS
8541.49.70.80
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)
30
ECCN (US)
EAR99
PPAP
No
Maximum Power Dissipation (mW)
250
Automotive
No
Minimum Operating Temperature (°C)
-65
Maximum Operating Temperature (°C)
125
Supplier Package
TO-18
Phototransistor Type
Phototransistor
Package Height
6.86(Max)
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)
0.4
Polarity
NPN
Lens Shape Type
Domed
EU RoHS
Compliant
Maximum Dark Current (nA)
100
Durchmesser
5.84(Max)
Maximum Rise Time (ns)
7000(Typ)
Maximum Collector Current (mA)
50
Maximum Fall Time (ns)
7000(Typ)
Material
Silicon
Standard Package Name
TO
Maximum Emitter-Collector Voltage (V)
5
Pin Count
3
Mounting
Through Hole
Typ
Chip
Viewing Orientation
Top View
Lead Shape
Through Hole
Part Status
Active
Peak Wavelength (nm)
890
Paket
Bag
Maximum Light Current (uA)
3600(Min)
OP800B Unterlagen
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