TT Electronics / Optek Technology
OP505W
Sensors
OP505W
54-OP505W
Phototransistor IR Chip Silicon 935nm 2-Pin T-1 Bag
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SCHNELLE ANFRAGE
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Technische Daten
Number of Channels per Chip
1
Fabrication Technology
NPN Transistor
PCB changed
2
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)
30
ECCN (US)
EAR99
PPAP
No
Maximum Power Dissipation (mW)
100
Automotive
No
Minimum Operating Temperature (°C)
-40
Maximum Operating Temperature (°C)
100
Supplier Package
T-1
Phototransistor Type
Phototransistor
Package Height
3.18(Max) + 0.76
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)
0.4
Polarity
NPN
Lens Shape Type
Flat
EU RoHS
Compliant
Maximum Dark Current (nA)
100
Durchmesser
4.19(Max)
Maximum Collector Current (mA)
20
Material
Silicon
Maximum Emitter-Collector Voltage (V)
5
Pin Count
2
Mounting
Through Hole
Typ
IR Chip
Viewing Orientation
Side View
Lead Shape
Through Hole
Part Status
Active
Peak Wavelength (nm)
935
Paket
Bag
Linsenfarbe
Blue
Maximum Light Current (uA)
100(Min)
OP505W Unterlagen
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