Marktech Optoelectronics
MTD8600N4-T
Sensors
MTD8600N4-T
54-MTD8600N4-T
Phototransistors Photo Diode 880nm
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Technische Daten
Montageart
Through Hole
Maximum On-State Collector Current
50 mA
Collector-Emitter Breakdown Voltage
30 V
ECCN
EAR99
Fall Time
10 us
RoHS
RoHS Compliant
Wellenlänge
880 nm
Minimum Operating Temperature
- 30 C
Rise Time
10 us
Verpackung/Koffer
TO-18-2
Länge
4.65 mm
Half Intensity Angle Degrees
24 deg
Collector-Emitter Saturation Voltage
200 mV
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
30 V
Höhe
6.2 mm
Maximum Operating Temperature
+ 100 C
Paket
Bulk
Pd - Power Dissipation
250 mW
USHTS
8541491050
Breite
4.65 mm
Dark Current
100 nA
Peak Wavelength
880 nm
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