Kingbright
KP-2012P3C
Sensors
KP-2012P3C
54-KP-2012P3C
Phototransistor Chip Silicon 2-Pin SMD T/R
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SCHNELLE ANFRAGE
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Technische Daten
Number of Channels per Chip
1
Fabrication Technology
NPN Transistor
PCB changed
2
HTS
8541.49.70.80
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)
30
ECCN (US)
EAR99
PPAP
No
Maximum Power Dissipation (mW)
100
Automotive
No
Minimum Operating Temperature (°C)
-40
Maximum Operating Temperature (°C)
85
Supplier Package
SMD
Phototransistor Type
Phototransistor
Package Height
1.1(Max)
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)
0.8
Polarity
NPN
Lens Shape Type
Flat
EU RoHS
Compliant
Maximum Dark Current (nA)
100
Maximum Rise Time (ns)
15000(Typ)
Maximum Collector Current (mA)
0.4(Typ)
Maximum Fall Time (ns)
15000(Typ)
Material
Silicon
Package Length
2
Standard Package Name
SMD
Maximum Emitter-Collector Voltage (V)
5
Pin Count
2
Mounting
Surface Mount
Typ
Chip
Viewing Orientation
Side View
Part Status
Active
Paket
Tape and Reel
Linsenfarbe
Water Clear
Package Width
1.25
KP-2012P3C Unterlagen
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