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Phototransistors Chip,R/angle, PT,940nm
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Beschreibung Technische Daten Unterlagen Einkaufsführer

Technische Daten

Montageart
SMD/SMT
Maximum On-State Collector Current
20 mA
Collector-Emitter Breakdown Voltage
30 V
Produkt
Phototransistors
RoHS
RoHS Compliant
Minimum Operating Temperature
- 40 C
Verpackung/Koffer
1206 (3216 metric)
Moisture Sensitive
Yes
Operating Supply Voltage
-
Collector-Emitter Saturation Voltage
400 mV
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
30 V
Maximum Operating Temperature
+ 85 C
Pd - Power Dissipation
100 mW
Dark Current
100 nA
Peak Wavelength
920 nm

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