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Phototransistors Chip,Top Mt,PT,940nm
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Beschreibung Technische Daten Unterlagen Einkaufsführer

Technische Daten

Montageart
SMD/SMT
Maximum On-State Collector Current
20 A
Collector-Emitter Breakdown Voltage
30 V
Light Current
8 mA
ECCN
EAR99
Produkt
Phototransistors
RoHS
RoHS Compliant
Wellenlänge
700 nm to 1140 nm
Minimum Operating Temperature
- 40 C
Serie
HST9
Typ
Top-View Surface-Mount Phototransistor
Verpackung/Koffer
1206 (3216 metric)
Moisture Sensitive
Yes
Collector-Emitter Saturation Voltage
400 mV
Maximum Operating Temperature
+ 85 C
Pd - Power Dissipation
100 mW
USHTS
8541497080
Dark Current
100 nA
Peak Wavelength
940 nm

HST9-B380 Unterlagen

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