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    Beschreibung Technische Daten Unterlagen Einkaufsführer

    Technische Daten

    Maximum On-State Collector Current
    20 mA
    Blickwinkel
    140°
    Light Current
    1.3 mA
    Produkt
    Phototransistors
    Aktuell – Dunkel (Id) (Max)
    100 nA
    Produktstatus
    Active
    Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.)
    30 V
    RoHS
    RoHS Compliant
    Verpackung/Koffer
    0805 (2012 Metric)
    Collector-Emitter Saturation Voltage
    400 mV
    Hersteller
    Broadcom Limited
    Maximum Operating Temperature
    + 85 C
    Peak Wavelength
    940 nm
    Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
    3 (168 Hours)
    Montageart
    SMD/SMT
    Betriebstemperatur
    -40°C ~ 85°C
    Collector-Emitter Breakdown Voltage
    30 V
    Strom - Kollektor (Ic) (Max)
    20 mA
    ECCN
    EAR99
    Orientierung
    Top View
    Befestigungsart
    Surface Mount
    Wellenlänge
    940nm
    Minimum Operating Temperature
    - 40 C
    Serie
    HST9
    Typ
    Top-View Surface-Mount Phototransistor
    Moisture Sensitive
    Yes
    Leistung max
    100 mW
    Paket
    Tape & Reel (TR)
    Pd - Power Dissipation
    100 mW
    USHTS
    8541497080
    Dark Current
    100 nA

    HST9-B170 Unterlagen

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