onsemi_FODM291DR2
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FODM291DR2

Sensors
onsemi
FODM291DR2
54-FODM291DR2
Phototransistors 4SO TR T&R
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Technische Daten

Montageart
SMD/SMT
Maximum On-State Collector Current
50 mA
Collector-Emitter Breakdown Voltage
80 V
ECCN
EAR99
Produkt
Phototransistors
Fall Time
5 us
RoHS
RoHS Compliant
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Serie
FODM291
Typ
Phototransistor Optocoupler
Rise Time
5 us
Verpackung/Koffer
MFP-4
Collector-Emitter Saturation Voltage
100 mV
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
80 V
Maximum Operating Temperature
+ 110 C
Paket
Reel
Pd - Power Dissipation
70 mW
USHTS
8541498000
Dark Current
100 nA

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