Taiwan Semiconductor
ES1G
AC DC DC Modules
ES1G
55-ES1G
DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC
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Technische Daten
Unit Weight
0.002258 oz
Aufbau
Single
Produkt
Rectifiers
PPAP
No
Produktstatus
Active
RoHS
RoHS Compliant By Exemption
Automotive
No
Supplier Package
SMA
Verpackung/Koffer
DO-214AC, SMA
Peak Forward Voltage (V)
1.3
Technologie
Standard
REACH-Status
REACH Unaffected
Spannung – DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)
400 V
Peak Non-Repetitive Surge Current (A)
30
EU RoHS
Compliant with Exemption
Maximum Continuous Forward Current (A)
1
Strom – Durchschnittlich gleichgerichtet (Io)
1A
Betriebstemperatur – Verbindungsstelle
-55°C ~ 150°C
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
Kapazität @ Vr, F
18pF @ 1V, 1MHz
ECCN
EAR99
Befestigungsart
Surface Mount
Standard Package Name
DO
Pin Count
2
Strom – Rückwärtsleckage bei Vr
5 µA @ 400 V
Mounting
Surface Mount
Lead Shape
Inward L-Lead
SVHC
Yes
HTSUS
8541.10.0080
Paket
Tape & Reel (TR)
USHTS
8541100080
Peak Reverse Recovery Time (ns)
35
Reverse Recovery Time (trr)
35 ns
PCB changed
2
HTS
8541.10.00.80
ECCN (US)
EAR99
Gerätepaket des Lieferanten
DO-214AC (SMA)
Minimum Operating Temperature (°C)
-55
Maximum Operating Temperature (°C)
150
Package Height
2.3(Max)
Hersteller
Taiwan Semiconductor Corporation
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Maximum DC Reverse Voltage (V)
400
Geschwindigkeit
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
SVHC Exceeds Threshold
Yes
Peak Reverse Current (uA)
5
Peak Reverse Repetitive Voltage (V)
400
Package Length
4.6(Max)
Serie
ES1x
Typ
Switching Diode
Spannung – Vorwärts (Vf) (Max) @ If
1.3 V @ 1 A
Part Status
Active
Package Width
2.83(Max)
Basisproduktnummer
ES1G
ES1G Unterlagen
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