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    Beschreibung Technische Daten Unterlagen Einkaufsführer

    Technische Daten

    Unit Weight
    0.178433 oz
    Ausgabetyp
    Phototransistor
    Reaktionszeit
    4µs, 4µs
    Erfassungsdistanz
    0.551" (14mm)
    Maximum Collector Current
    20 mA
    Ausgabekonfiguration
    Phototransistor
    Erfassungsmethode
    Through-Beam
    Fall Time
    4 us
    Produktstatus
    Active
    Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.)
    30 V
    RoHS
    RoHS Compliant
    Vr - Reverse Voltage
    4 V
    Verpackung/Koffer
    PCB Mount
    Anzahl der Kanäle
    1 Channel
    REACH-Status
    REACH Affected
    Hersteller
    Omron Electronics Inc-EMC Div
    Höhe
    16.5 mm
    Maximum Operating Temperature
    + 85 C
    If - Forward Current
    50 mA
    Breite
    5 mm
    Slot Width
    14 mm
    RoHS-Status
    ROHS3 Compliant
    Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
    Not Applicable
    Betriebstemperatur
    -25°C ~ 85°C
    Strom - Kollektor (Ic) (Max)
    20 mA
    ECCN
    EAR99
    Befestigungsart
    Through Hole
    Wellenlänge
    850 nm
    Minimum Operating Temperature
    - 25 C
    Serie
    EE-SX1140
    Typ
    Unamplified
    Rise Time
    4 us
    Länge
    23 mm
    Collector- Emitter Voltage VCEO Max
    30 V
    HTSUS
    8541.49.9500
    Paket
    Bulk
    Pd - Power Dissipation
    100 mW
    USHTS
    8541498000
    Strom - DC vorwärts (If) (Max)
    50 mA

    EE-SX1140 Unterlagen

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