Everlight Electronics
EAPSV3224A0
Sensors
EAPSV3224A0
54-EAPSV3224A0
LINEAR IC
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SCHNELLE ANFRAGE
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Technische Daten
Number of Channels per Chip
1
PCB changed
2
HTS
8541.49.70.80
Blickwinkel
-
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)
30
ECCN (US)
EAR99
PPAP
No
Maximum Power Dissipation (mW)
75
Aktuell – Dunkel (Id) (Max)
100 nA
Produktstatus
Active
Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.)
30 V
RoHS
RoHS Compliant
Automotive
No
Minimum Operating Temperature (°C)
-25
Maximum Operating Temperature (°C)
85
Supplier Package
Mini-SMD
Verpackung/Koffer
1206 (3216 Metric)
Phototransistor Type
Phototransistor
Package Height
2.4
Hersteller
Everlight Electronics Co Ltd
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)
0.4
EU RoHS
Compliant
Maximum Dark Current (nA)
100
Betriebstemperatur
-25°C ~ 85°C
Maximum Rise Time (ns)
15000(Typ)
Strom - Kollektor (Ic) (Max)
20 mA
Maximum Collector Current (mA)
20
Maximum Fall Time (ns)
15000(Typ)
ECCN
EAR99
Material
Silicon
Package Length
3.2
Orientierung
Top View
Befestigungsart
Surface Mount
Standard Package Name
SMD
Wellenlänge
940nm
Maximum Emitter-Collector Voltage (V)
5
Pin Count
2
Mounting
Surface Mount
Serie
-
Typ
Chip
Leistung max
75 mW
Part Status
Active
Peak Wavelength (nm)
940
HTSUS
8541.41.0000
Paket
Tape & Reel (TR)
Linsenfarbe
Black
Package Width
1.6
USHTS
8541497080
EAPSV3224A0 Unterlagen
Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation herunter für EAPSV3224A0
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SICK
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