Everlight Electronics_EAPST3215A1
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Everlight Electronics

EAPST3215A1

Sensors
EAPST3215A1
54-EAPST3215A1
Phototransistor Chip 940nm 2-Pin Case 1206(3216Metric) T/R
Auf Lager : 3777

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SCHNELLE ANFRAGE
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Technische Daten

PCB changed
2
HTS
8541.49.70.80
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)
30
ECCN (US)
EAR99
PPAP
No
Maximum Power Dissipation (mW)
75
RoHS
RoHS Compliant
Automotive
No
Minimum Operating Temperature (°C)
-25
Maximum Operating Temperature (°C)
85
Supplier Package
Case 1206(3216Metric)
Phototransistor Type
Phototransistor
Package Height
1.1
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)
0.4
Polarity
NPN
Lens Shape Type
Rectangular
EU RoHS
Compliant
Maximum Dark Current (nA)
100
Maximum Rise Time (ns)
15000
Maximum Collector Current (mA)
0.3(Typ)
Maximum Fall Time (ns)
15000
ECCN
EAR99
Package Length
3.2
Maximum Emitter-Collector Voltage (V)
5
Pin Count
2
Mounting
Surface Mount
Typ
Chip
Moisture Sensitive
Yes
Viewing Orientation
Top View
Part Status
Active
Peak Wavelength (nm)
940
Paket
Tape and Reel
Linsenfarbe
Black
Package Width
1.5
USHTS
8541497080

EAPST3215A1 Unterlagen

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