Everlight Electronics
EAPST3215A0
Sensors
EAPST3215A0
54-EAPST3215A0
Phototransistor Chip Silicon 940nm 2-Pin Case 1206(3216Metric) T/R
Auf Lager : 5441
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SCHNELLE ANFRAGE
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Technische Daten
Fabrication Technology
Phototransistor
PCB changed
2
HTS
8541.49.70.80
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)
30
ECCN (US)
EAR99
PPAP
No
Maximum Power Dissipation (mW)
75
RoHS
RoHS Compliant
Automotive
No
Minimum Operating Temperature (°C)
-25
Maximum Operating Temperature (°C)
85
Supplier Package
Case 1206(3216Metric)
Phototransistor Type
Phototransistor
Package Height
1.1
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)
0.4
Lens Shape Type
Rectangular
EU RoHS
Compliant
Maximum Dark Current (nA)
100
Maximum Collector Current (mA)
0.3(Typ)
ECCN
EAR99
Material
Silicon
Package Length
3.2
Maximum Emitter-Collector Voltage (V)
5
Pin Count
2
Mounting
Surface Mount
Typ
Chip
Moisture Sensitive
Yes
Viewing Orientation
Top View
Part Status
Active
Peak Wavelength (nm)
940
Paket
Tape and Reel
Package Width
1.5
USHTS
8541497080
EAPST3215A0 Unterlagen
Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation herunter für EAPST3215A0
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