Diodes Incorporated_DMN6040SSD-13
Diodes Incorporated_DMN6040SSD-13
Diodes Incorporated

DMN6040SSD-13  

AC DC DC Modules
DMN6040SSD-13
55-DMN6040SSD-13
MOSFET 2N-CH 60V 5A 8SO
Auf Lager : 11185

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    Technische Daten

    Unit Weight
    0.026455 oz
    Aufbau
    2 N-Channel (Dual)
    Typical Turn-Off Delay Time (ns)
    20.1
    Id - Continuous Drain Current
    5 A
    Maximum Gate Source Leakage Current (nA)
    100
    Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    1287pF @ 25V
    Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
    22.4nC @ 10V
    Typical Rise Time (ns)
    8.1
    PPAP
    No
    Channel Mode
    Enhancement
    Typical Turn-On Delay Time (ns)
    6.6
    Fall Time
    4 ns
    Produktstatus
    Active
    RoHS
    RoHS Compliant
    Automotive
    No
    Drain-Source-Spannung (Vdss)
    60V
    Supplier Package
    SO
    Maximum IDSS (uA)
    0.1
    Transistortyp
    2 N-Channel
    Verpackung/Koffer
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    Anzahl der Kanäle
    2 Channel
    Typical Turn-On Delay Time
    6.6 ns
    Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
    REACH-Status
    REACH Unaffected
    Kanaltyp
    N
    EU RoHS
    Compliant
    Rds On - Drain-Source Resistance
    40 mOhms
    Maximum Continuous Drain Current (A)
    5
    Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
    1 (Unlimited)
    Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
    Maximum Drain Source Voltage (V)
    60
    Maximum Drain Source Resistance (mOhm)
    40@10V
    ECCN
    EAR99
    Supplier Temperature Grade
    Automotive
    Befestigungsart
    Surface Mount
    Standard Package Name
    SO
    RDS ein (max.) bei ID, VGS
    40mOhm @ 4.5A, 10V
    Vgs(th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
    Pin Count
    8
    Mounting
    Surface Mount
    Rise Time
    8.1 ns
    Lead Shape
    Gull-wing
    Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
    5A
    Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
    1 V
    HTSUS
    8541.29.0095
    Paket
    Tape & Reel (TR)
    USHTS
    8541290095
    Typical Gate Charge @ Vgs (nC)
    Typical Input Capacitance @ Vds (pF)
    1287@25V
    Category
    Power MOSFET
    PCB changed
    8
    HTS
    COMPONENTS
    Number of Elements per Chip
    2
    ECCN (US)
    EAR99
    Maximum Power Dissipation (mW)
    1700
    Qg - Gate Charge
    22.4 nC
    Gerätepaket des Lieferanten
    8-SO
    Minimum Operating Temperature (°C)
    -55
    Maximum Operating Temperature (°C)
    150
    Typical Fall Time (ns)
    4
    Package Height
    1.45
    Maximum Positive Gate Source Voltage (V)
    20
    Hersteller
    Diodes Incorporated
    Maximum Operating Temperature
    + 150 C
    RoHS-Status
    ROHS3 Compliant
    Montageart
    SMD/SMT
    FET-Funktion
    Logic Level Gate
    Maximum Gate Source Voltage (V)
    ±20
    Vgs - Gate-Source Voltage
    - 20 V, + 20 V
    Typical Turn-Off Delay Time
    20.1 ns
    Transistor Polarity
    N-Channel
    Package Length
    4.9
    Typical Gate Charge @ 10V (nC)
    22.4
    Minimum Operating Temperature
    - 55 C
    Maximum Diode Forward Voltage (V)
    1.2
    Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
    60 V
    Serie
    DMN6040
    Operating Junction Temperature (°C)
    -55 to 150
    Leistung max
    1.3W
    Forward Transconductance - Min
    4.5 S
    Part Status
    Active
    Maximum Gate Threshold Voltage (V)
    3
    Package Width
    3.9
    Pd - Power Dissipation
    1.7 W
    Basisproduktnummer
    DMN6040

    DMN6040SSD-13 Unterlagen

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