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BPW96C
Sensors
BPW96C
54-BPW96C
Phototransistor IR Chip Silicon 850nm 2-Pin T-1 3/4 Bulk
Auf Lager : 5982
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SCHNELLE ANFRAGE
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Technische Daten
Number of Channels per Chip
1
Unit Weight
0.012982 oz
Fabrication Technology
NPN Transistor
Light Current
8 mA
Produkt
Phototransistors
PPAP
No
RoHS
RoHS Compliant
Automotive
No
Supplier Package
T-1 3/4
Verpackung/Koffer
T-1 3/4
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)
0.3
Lens Shape Type
Domed
EU RoHS
Compliant
Peak Wavelength
850 nm
Collector-Emitter Breakdown Voltage
70 V
Maximum Collector Current (mA)
50
ECCN
EAR99
Wellenlänge
850 nm
Maximum Emitter-Collector Voltage (V)
5
Pin Count
2
Mounting
Through Hole
Lens Color/Style
Clear
Viewing Orientation
Top View
Lead Shape
Through Hole
Peak Wavelength (nm)
850
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
70 V
Paket
Bulk
Linsenfarbe
Clear
USHTS
8541498000
Maximum Light Current (uA)
15000
Maximum On-State Collector Current
50 mA
PCB changed
2
HTS
8541.49.70.80
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)
70
ECCN (US)
EAR99
Maximum Power Dissipation (mW)
150
Minimum Operating Temperature (°C)
-40
Maximum Operating Temperature (°C)
100
Phototransistor Type
Phototransistor
Package Height
8.6
Collector-Emitter Saturation Voltage
300 mV
Polarity
NPN
Höhe
8.6 mm
Maximum Operating Temperature
+ 100 C
Maximum Dark Current (nA)
200
Breite
5.75 mm
Durchmesser
5.75
Montageart
Through Hole
Material
Silicon
Minimum Operating Temperature
- 40 C
Typ
IR Chip
Half Intensity Angle Degrees (°)
40
Länge
5.75 mm
Half Intensity Angle Degrees
20 deg
Part Status
Active
Pd - Power Dissipation
150 mW
Dark Current
200 nA
BPW96C Unterlagen
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