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BPW76A
Sensors
BPW76A
54-BPW76A
Phototransistor Chip Silicon 850nm 3-Pin TO-206AA
Auf Lager : 790
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SCHNELLE ANFRAGE
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Technische Daten
Number of Channels per Chip
1
Unit Weight
0.013878 oz
Fabrication Technology
NPN Transistor
Light Current
800 uA
Produkt
Phototransistors
PPAP
No
RoHS
RoHS Compliant
Automotive
No
Supplier Package
TO-206AA
Verpackung/Koffer
TO-18
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)
0.3
Lens Shape Type
Flat
EU RoHS
Compliant
Peak Wavelength
850 nm
Collector-Emitter Breakdown Voltage
70 V
Maximum Collector Current (mA)
50
ECCN
EAR99
Standard Package Name
TO
Wellenlänge
850 nm
Pin Count
3
Mounting
Through Hole
Viewing Orientation
Top View
Lead Shape
Through Hole
Peak Wavelength (nm)
850
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
80 V
Paket
Bulk
USHTS
8541498000
Maximum Light Current (uA)
800
Maximum On-State Collector Current
50 mA
PCB changed
3
HTS
8541.49.70.80
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)
70
ECCN (US)
EAR99
Maximum Power Dissipation (mW)
250
Maximum Operating Temperature (°C)
125
Phototransistor Type
Phototransistor
Package Height
6.15
Collector-Emitter Saturation Voltage
150 mV
Polarity
NPN
Höhe
5.2 mm
Maximum Operating Temperature
+ 125 C
Maximum Dark Current (nA)
100
Breite
5.5 mm
Durchmesser
5.5
Montageart
Through Hole
Material
Silicon
Minimum Operating Temperature
- 40 C
Typ
Chip
Half Intensity Angle Degrees (°)
80
Länge
5.5 mm
Half Intensity Angle Degrees
40 deg
Part Status
Active
Pd - Power Dissipation
250 mW
Dark Current
100 nA
BPW76A Unterlagen
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