Vishay
BPW16N
Sensors
BPW16N
54-BPW16N
Phototransistor Chip Silicon 825nm 2-Pin T-3/4
Auf Lager : 10903
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SCHNELLE ANFRAGE
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Technische Daten
Number of Channels per Chip
1
Unit Weight
0.004162 oz
Fabrication Technology
NPN Transistor
Light Current
140 uA
Produkt
Phototransistors
PPAP
No
RoHS
RoHS Compliant
Automotive
No
Supplier Package
T-3/4
Verpackung/Koffer
T-3/4
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)
0.3
Lens Shape Type
Flat
EU RoHS
Compliant
Peak Wavelength
825 nm
Collector-Emitter Breakdown Voltage
32 V
Maximum Collector Current (mA)
50
ECCN
EAR99
Wellenlänge
825 nm
Maximum Emitter-Collector Voltage (V)
5
Pin Count
2
Mounting
Through Hole
Lens Color/Style
Water Clear
Viewing Orientation
Top View
Peak Wavelength (nm)
825
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
32 V
Paket
Bulk
Linsenfarbe
Water Clear
USHTS
8541497080
Maximum Light Current (uA)
140(Typ)
Maximum On-State Collector Current
50 mA
PCB changed
2
HTS
EA
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)
30
ECCN (US)
EAR99
Maximum Power Dissipation (mW)
100
Maximum Operating Temperature (°C)
100
Phototransistor Type
Phototransistor
Package Height
2.2
Collector-Emitter Saturation Voltage
300 mV
Polarity
NPN
Höhe
2.2 mm
Maximum Operating Temperature
+ 100 C
Maximum Dark Current (nA)
200
Breite
2.4 mm
Montageart
Through Hole
Material
Silicon
Package Length
3.3
Minimum Operating Temperature
- 40 C
Typ
Chip
Half Intensity Angle Degrees (°)
80
Länge
3.3 mm
Half Intensity Angle Degrees
40 deg
Part Status
Active
Package Width
2.4
Pd - Power Dissipation
100 mW
Dark Current
200 nA
BPW16N Unterlagen
Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation herunter für BPW16N
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