Vishay
BPV11F
Sensors
BPV11F
54-BPV11F
Phototransistor IR Chip Silicon 930nm 2-Pin T-1 3/4
Auf Lager : 6210
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SCHNELLE ANFRAGE
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Technische Daten
Number of Channels per Chip
1
Unit Weight
0.014110 oz
Fabrication Technology
NPN Transistor
Light Current
9 mA
Produkt
Phototransistors
PPAP
No
RoHS
RoHS Compliant
Automotive
No
Supplier Package
T-1 3/4
Verpackung/Koffer
T-1 3/4
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)
0.3
Lens Shape Type
Domed
EU RoHS
Compliant
Peak Wavelength
930 nm
Collector-Emitter Breakdown Voltage
70 V
Maximum Collector Current (mA)
50
ECCN
EAR99
Wellenlänge
930 nm
Pin Count
2
Mounting
Through Hole
Lens Color/Style
Water Clear
Viewing Orientation
Top View
Lead Shape
Through Hole
Peak Wavelength (nm)
930
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
70 V
Paket
Tube
USHTS
8541497080
Maximum Light Current (uA)
9000(Typ)
Maximum On-State Collector Current
50 mA
PCB changed
2
HTS
8541.49.80.00
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)
70
ECCN (US)
EAR99
Maximum Power Dissipation (mW)
150
Minimum Operating Temperature (°C)
-40
Maximum Operating Temperature (°C)
100
Phototransistor Type
Phototransistor
Package Height
8.6
Collector-Emitter Saturation Voltage
130 mV
Polarity
NPN
Höhe
8.6 mm
Maximum Operating Temperature
+ 100 C
Maximum Dark Current (nA)
50
Breite
5.75 mm
Durchmesser
5.75
Montageart
Through Hole
Material
Silicon
Minimum Operating Temperature
- 40 C
Cut-Off Filter
Visible Cut-off
Typ
IR Chip
Half Intensity Angle Degrees (°)
30
Länge
5.75 mm
Half Intensity Angle Degrees
15 deg
Part Status
Active
Pd - Power Dissipation
150 mW
Dark Current
50 nA
BPV11F Unterlagen
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25BP22-Q-2-16C
Grayhill, Inc.
MAX30N-71V20K10200
SICK
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