Kingbright
APT2012P3BT
Sensors
APT2012P3BT
54-APT2012P3BT
SENSOR PHOTO TOP VIEW 0805
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Technische Daten
Number of Channels per Chip
1
Unit Weight
0.000112 oz
Fabrication Technology
NPN Transistor
Produkt
Phototransistors
PPAP
No
Fall Time
15 us
Produktstatus
Active
Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.)
30 V
RoHS
RoHS Compliant
Automotive
No
Supplier Package
SMT
Verpackung/Koffer
0805 (2012 Metric)
REACH-Status
REACH Unaffected
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)
0.8
Lens Shape Type
Flat
EU RoHS
Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
3 (168 Hours)
Betriebstemperatur
-40°C ~ 85°C (TA)
Collector-Emitter Breakdown Voltage
30 V
Strom - Kollektor (Ic) (Max)
1 mA
Maximum Fall Time (ns)
15000(Typ)
ECCN
EAR99
Orientierung
Top View
Befestigungsart
Surface Mount
Standard Package Name
SMD
Wellenlänge
940 nm
Maximum Emitter-Collector Voltage (V)
5
Pin Count
2
Mounting
Surface Mount
Rise Time
15 us
Moisture Sensitive
Yes
Viewing Orientation
Top View
Peak Wavelength (nm)
940
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
30 V
HTSUS
8541.49.7080
Paket
Tape & Reel (TR)
Linsenfarbe
Blue Transparent
USHTS
8541491050
Maximum Light Current (uA)
1000(Typ)
Maximum On-State Collector Current
200 uA
PCB changed
2
HTS
8541.41.00.00
Blickwinkel
-
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)
30
ECCN (US)
EAR99
Maximum Power Dissipation (mW)
100
Aktuell – Dunkel (Id) (Max)
100 nA
Minimum Operating Temperature (°C)
-40
Maximum Operating Temperature (°C)
85
Phototransistor Type
Phototransistor
Package Height
0.75
Collector-Emitter Saturation Voltage
800 mV
Hersteller
Kingbright
Polarity
NPN
Höhe
0.75 mm
Maximum Operating Temperature
+ 85 C
Maximum Dark Current (nA)
100
Breite
1.25 mm
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Montageart
SMD/SMT
Maximum Rise Time (ns)
15000(Typ)
Material
Silicon
Package Length
2
Minimum Operating Temperature
- 40 C
Serie
-
Typ
IR Chip
Länge
2 mm
Leistung max
100 mW
Part Status
Active
Package Width
1.25
Pd - Power Dissipation
100 mW
Dark Current
1 mA
Basisproduktnummer
APT2012
APT2012P3BT Unterlagen
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