Kingbright
AP1608P1C-P22
Sensors
AP1608P1C-P22
54-AP1608P1C-P22
SENSOR PHOTO 940NM TOP VIEW 0603
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Technische Daten
Unit Weight
0.000080 oz
Produkt
Phototransistors
Fall Time
15 us
Produktstatus
Active
Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.)
30 V
RoHS
RoHS Compliant
Supplier Package
SMD
Verpackung/Koffer
0603 (1608 Metric)
REACH-Status
REACH Unaffected
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)
0.8
Lens Shape Type
Rectangular
EU RoHS
Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
3 (168 Hours)
Betriebstemperatur
-40°C ~ 85°C
Collector-Emitter Breakdown Voltage
30 V
Maximum Collector Current (mA)
0.3(Typ)
Maximum Fall Time (ns)
15000(Typ)
ECCN
EAR99
Orientierung
Top View
Befestigungsart
Surface Mount
Standard Package Name
SMD
Wellenlänge
940nm
Maximum Emitter-Collector Voltage (V)
5
Pin Count
2
Mounting
Surface Mount
Rise Time
15 us
Moisture Sensitive
Yes
Viewing Orientation
Top View
Peak Wavelength (nm)
940
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
30 V
HTSUS
8541.49.7080
Paket
Tape & Reel (TR)
USHTS
8541497080
Maximum On-State Collector Current
300 uA
PCB changed
2
HTS
8541.49.70.80
Blickwinkel
150°
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)
30
ECCN (US)
EAR99
Maximum Power Dissipation (mW)
100
Aktuell – Dunkel (Id) (Max)
100 nA
Minimum Operating Temperature (°C)
-40
Maximum Operating Temperature (°C)
85
Phototransistor Type
Phototransistor
Package Height
1.1(Max)
Collector-Emitter Saturation Voltage
800 mV
Hersteller
Kingbright
Polarity
NPN
Maximum Operating Temperature
+ 85 C
Maximum Dark Current (nA)
100
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Montageart
SMD/SMT
Maximum Rise Time (ns)
15000(Typ)
Material
Silicon
Package Length
1.6
Minimum Operating Temperature
- 40 C
Serie
-
Typ
Chip
Half Intensity Angle Degrees (°)
150
Leistung max
100 mW
Part Status
Active
Package Width
0.8
Pd - Power Dissipation
100 mW (1/10 W)
Dark Current
100 nA
Basisproduktnummer
AP1608
AP1608P1C-P22 Unterlagen
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