Micropac Industries_61058-003
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Micropac Industries

61058-003

Sensors
61058-003
54-61058-003
Phototransistor Module Silicon 800nm 3-Pin TO-46
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Technische Daten

Number of Channels per Chip
1
Fabrication Technology
NPN
PCB changed
3
HTS
8541.49.70.80
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)
30(Min)
ECCN (US)
3A001.a.2.c
PPAP
Unknown
Maximum Power Dissipation (mW)
250
Automotive
Unknown
Minimum Operating Temperature (°C)
-55
Maximum Operating Temperature (°C)
125
Supplier Package
TO-46
Phototransistor Type
Phototransistor
Package Height
6.1(Max)
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)
0.2
Polarity
NPN
Lens Shape Type
Domed
EU RoHS
Supplier Unconfirmed
Maximum Dark Current (nA)
100
Durchmesser
5.84(Max)
Maximum Rise Time (ns)
3000(Typ)
Maximum Collector Current (mA)
50
Material
Silicon
Standard Package Name
TO
Maximum Emitter-Collector Voltage (V)
7(Min)
Pin Count
3
Mounting
Through Hole
Typ
Module
Viewing Orientation
Top View
Half Intensity Angle Degrees (°)
10
Part Status
Unconfirmed
Peak Wavelength (nm)
800
Maximum Light Current (uA)
16000

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